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11月3日,在美國紐約一家蘋果專賣店,一名顧客在體驗iPhone X樣機。 新華社 分享 facebook iPhone X開賣不久,市場已將目光轉向明年新iPhone。外媒引述分析師預估,明年新iPhone將具備DSDS功能,LTE傳輸速度可大幅提升,英特爾(Intel)是基頻晶片大贏家。國外科技網站MacRumors引述凱基投顧分析師郭明錤報告指出,蘋果西元2018年推出新一代iPhone機種,將搭配英特爾或高通(Qualcomm)新一代基頻晶片,可讓新一代iPhone的LTE傳輸速度更佳。 #div-gpt-ad-1503996040247-0 iframe { margin:auto; display: block; }
#div-gpt-ad-1503996040247-0 > div { margin: auto; display: block !important; }報導引述指出,新iPhone的LTE晶片可支援4x4多入多出(MIMO)天線技術,今年9月新推出的iPhone,支援2x2的MIMO天線規格,郭明錤認為這將大幅提升明年下半年新款iPhone在LTE傳輸速度。觀察明年新款iPhone基頻晶片分布比重,報導引述郭明錤報告預估,英特爾提供的基頻晶片,將占明年新款iPhone所需70%到80%比重,甚至更高。郭明錤預期明年新款iPhone將進一步支援雙卡雙待DSDS(dual-SIM dual standby)功能,預期能具備LTE+LTE連結。報導指出,這意味新款iPhone內建的2張SIM卡
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